天津大学21年春《模拟电子技术基础》在线作业一[答案]

天津大学21年春《模拟电子技术基础》在线作业一[答案]满分答案

《模拟电子技术基础》在线作业一

试卷总分:100  得分:100

一、单选题 (共 40 道试题,共 100 分)

1.题目见图片{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

2.{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

3.理想运算放大器的 ( )

A.输入、输出电阻均很高

B.输入电阻高，输出电阻低

C.输入电阻低，输出电阻高

 

4.{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

5.题目见图片{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

6.题目见图片{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

7.稳 压 电 路 中 稳 压 二 极 管 大 多 工 作 于 ( )。

A.反 向 击 穿状 态

B.截 止 状 态

C.开 关状 态

 

8.题目见图片{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

9.题目见图片{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

10.{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

11.题目见图片{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

12.绝缘栅双极晶体管是一种新型复合器件，它具有的特点是( )

A.驱动功率小，工作频率低，通态压降小

B.驱动功率小，工作频率高，通态压降大

C.驱动功率小，工作频率高，通态压降小

 

13.{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

14.题目见图片{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

15.{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

16.题目见图片{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

17.{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

21.{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

19.{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

20.硅 二 极 管 导 通 后 的 正 向 压 降 约 为（ ）。

A.1.5V

B.0.2 V

C.0.6V

 

21.晶体管处于饱和状态时， 集电结和发射结的偏置情况为（ ）。

A.发射结反偏，集电结正偏

B.发射结、集电结均反偏

C.发射结、集电结均正偏

D.发射结正偏，集电结反偏

 

22.场效晶体管的工作特点是（ ）。

A.输入电流控制输出电流

B.输入电流控制输出电压

C.输入电压控制输出电流

 

23.{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

24.{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

25.题目见图片{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

26.题目见图片{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

27.已知某晶体管处于放大状态，测得其3个极的电位分别为3V、3.7V和6V，则3V所对应的电极为（ ）。

A.集电极

B.发射极

C.基极

 

28.{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

29.题目见图片{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

30.{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

31.当温度降低时，半导体的导电能力将（ ）。

A.不 变

B.减 弱

C.增 强

 

32.晶 体 管 的 穿 透 电 流 ICEO 是 表 明（ ）。

A.该 管 温 度 稳 定 性 好 坏 的 参 数

B.该 管 允 许 通 过 最 大 电 流 的 极 限 参 数

C.该 管 放 大 能 力 的 参 数

 

33.在 运 算 放 大 器 电 路 中， 引 入 深 度 负 反 馈 的 目 的 之 一 是 使 运 放 ( )

A.工 作 在 线 性 区 ， 降 低 稳 定 性

B.工 作 在 线 性 区 ， 提 高 稳 定 性

C.工 作 在 非 线 性 区 ，提 高 稳 定 性

 

34.题目见图片{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

35.已知某晶体管的ICBO 为 4μA， 当基极电流为20μA时， 集电 极电流为1mA，则该管的ICEO 约等于（ ）。

A.8 mA

B.100μA

C.200μA

 

36.{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

37.晶体管处于截 止 状 态 时， 集 电 结 和 发 射 结 的 偏 置 情 况 为（ ）。

A.发 射 结 反 偏，集 电 结 正 偏

B.发 射 结、集 电 结 均 反 偏

C.发 射 结、集 电 结 均 正 偏

D.发 射 结 正 偏，集 电 结 反 偏

 

38.{图}

A.A

B.B

C.C

D.D

 

39.已知两个高输入电阻单管放大器的电压放大倍数分别为40和20，若将它们连接起来组成两级阻容耦合放大电路，其总的电压放大倍数为（ ）。

A.20

B.60

C.800

 

40.在集成运算放大器的输入级，采用差动式电路结构的主要目的是( )

A.提高电压放大倍数

B.提高输入电阻

C.抑制零点漂移

 

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